BSS135、VN4012L-G、TN5335K1-G对比区别
型号 BSS135 VN4012L-G TN5335K1-G
描述 SIPMOS小信号晶体管（ N沟道耗尽型高动态电阻） SIPMOS Small-Signal Transistor (N channel Depletion mode High dynamic resistance)VN4012L-G 袋装晶体管, MOSFET, DMOS, N沟道, 110 mA, 350 V, 15 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microchip (微芯) Microchip (微芯)
分类 MOS管MOS管
封装 SOT-54 TO-92-3 SOT-23-3
安装方式 - Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
极性 N-CH - N-CH
漏源极电压(Vds) 600 V 400 V 350 V
连续漏极电流(Ids) 0.08A - 0.11A
额定功率 - 1 W 0.36 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 15 Ω
耗散功率 - 1 W 0.36 W
阈值电压 - - 2 V
上升时间 - 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) - 110pF @25V(Vds) 110pF @25V(Vds)
下降时间 - 65 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 1W (Tc) 360mW (Ta)
封装 SOT-54 TO-92-3 SOT-23-3
长度 - 5.21 mm -
宽度 - 4.19 mm -
高度 - 5.33 mm -
产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown
包装方式 - Bag Tape & Reel (TR)
材质 - Silicon Silicon
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free 无铅