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TSAL5100、TSAL6100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TSAL5100 TSAL6100

描述 高功率红外发光二极管, 950纳米,砷化镓铝/砷化镓 High Power Infrared Emitting Diode, 950 nm, GaAlAs/GaAs的GaAs / GaAlAs的红外发光二极管在? 5毫米( T- 13/4 )包装 GaAs/GaAlAs IR Emitting Diode in ?5 mm (T-13/4) Package

数据手册 --

制造商 VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 发光二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 T-1 T-1

正向电压 1.35 V 1.35 V

波长 940 nm 940 nm

视角 20° 20°

峰值波长 940 nm 940 nm

耗散功率 160 mW 160 W

上升时间 800 ns 800 ns

测试电流 100 mA 100 mA

正向电流 100 mA 100 mA

正向电压(Max) 1.6 V 2.6 V

正向电流(Max) 100 mA 100 mA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 160 mW 160 mW

电源电压(DC) - 1.60 V

额定电压(DC) - 2.60 V

上升/下降时间 - 0.8 µs

针脚数 - 2

封装 T-1 T-1

高度 - 8.7 mm

脚长度 - 25.7 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

包装方式 Bulk Bulk

产品生命周期 - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99