IRG4BC20K-SPBF、IRG4BC20KDSTRLP对比区别

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型号 IRG4BC20K-SPBF IRG4BC20KDSTRLP

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 60000mW 3Pin(2+Tab) D2PAKIGBT 高达 20A，Infineon优化的 IGBT 设计用于中频应用，可快速响应，为用户提供最大效率。 这些设备利用 FRED 经优化的二极管，从而提供最佳的 IGBT 性能### IGBT 晶体管，International RectifierInternational Rectifier 提供全面的 IGBT（绝缘栅级双极性晶体管）产品组合，范围从 300V 到 1200V，采用各种技术，可最大程度降低切换和传导损耗，从而提高效率、减少热敏问题并改善功率密度。 公司还提供多种 IGBT 压模，专门设计用于中到高功率模块。 对于需要最大可靠性的模块，可使用可焊接前部金属 (SFM) 压模来消除连接线，从而实现双面冷却，提高热敏性能、可靠性和效率。

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 60000 mW 60000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V

额定功率(Max) 60 W 60 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60 W

额定功率 - 60 W

反向恢复时间 - 37 ns

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 11.3 mm

高度 - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Not For New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99