FQI4P40、FQI4P40TU对比区别

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型号 FQI4P40 FQI4P40TU

描述 400V P沟道MOSFET 400V P-Channel MOSFETP沟道 400V 3.5A

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 - Through Hole

封装 I2PAK TO-262-3

额定电压(DC) - -400 V

额定电流 - -3.50 A

漏源极电阻 - 3.10 Ω

极性 P-CH P-Channel

耗散功率 - 3.13 W

漏源极电压(Vds) 400 V 400 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.5A 3.50 A

上升时间 - 55 ns

输入电容(Ciss) - 680pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 3.13 W

下降时间 - 37 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 85W (Tc)

长度 - 10.29 mm

宽度 - 4.83 mm

高度 - 7.88 mm

封装 I2PAK TO-262-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99