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W25Q128JVSIQ、W25Q128JVSIQ TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W25Q128JVSIQ W25Q128JVSIQ TR

描述 W25Q128JVSIQ 管装W25Q128JVSIQ TR 停产

数据手册 --

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

时钟频率 133 MHz 133 MHz

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

位数 8 -

存取时间(Max) 6 ns -

工作温度(Max) 85 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.1.a -