锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF3707ZSPBF、IRL3103PBF、IPP055N03LGXKSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF3707ZSPBF IRL3103PBF IPP055N03LGXKSA1

描述 INFINEON  IRF3707ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 30 V, 9.5 mohm, 10 V, 1.8 VINFINEON  IRL3103PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 56 A, 30 V, 12 mohm, 10 V, 1 VN沟道 30V 50A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 57 W 83 W 68 W

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0095 Ω 0.012 Ω 0.0046 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 57 W 83 W 68 W

阈值电压 1.8 V 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 59A 64A 50A

上升时间 41 ns 120 ns 5.2 ns

输入电容(Ciss) 1210pF @15V(Vds) 1650pF @25V(Vds) 3200pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 94 W -

下降时间 3.6 ns 9.1 ns 4 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 57W (Tc) 94W (Tc) 68W (Tc)

长度 10.67 mm 10 mm -

宽度 9.65 mm 4.4 mm -

高度 4.83 mm 15.65 mm -

封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC