锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

APT60M80L2VFR、APT60M80L2VRG、APT60M80L2VFRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT60M80L2VFR APT60M80L2VRG APT60M80L2VFRG

描述 TO-264 N-CH 600V 65ATrans MOSFET N-CH 600V 65A 3Pin(3+Tab) TO-264 MAXTO-264 N-CH 600V 65A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 65A 65.0 A 65A

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 65.0 A -

耗散功率 - 833 W -

输入电容 - 13.3 nF -

栅电荷 - 590 nC -

上升时间 - 24 ns -

输入电容(Ciss) - 13300pF @25V(Vds) -

下降时间 - 31 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 833W (Tc) -

封装 TO-264 TO-264-3 TO-264

产品生命周期 Active Active Not Recommended

包装方式 - Tube -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -