MT9LSDT3272G-133D2、MT9LSDT3272Y-133D2、20ET1对比区别

高亮显示差异参数

型号 MT9LSDT3272G-133D2 MT9LSDT3272Y-133D2 20ET1

描述 DRAM Module SDRAM 256Mbyte 168RDIMM TrayMODULE SDRAM 256Mb 168RDIMMSynchronous DRAM Module, 32MX72, 5.4ns, CMOS, DIMM-168

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Samsung (三星)

分类 RAM芯片存储芯片

封装 DIMM RDIMM-168 DIMM

封装 DIMM RDIMM-168 DIMM

高度 38.1 mm 42.5 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Bulk -

电源电压(DC) 3.30 V 3.30 V -

内存容量 256000000 B 256000000 B -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Contains Lead Lead Free -