IDH15S120AKSA1、IDH16G120C5XKSA1、GB20SLT12-247对比区别
型号 IDH15S120AKSA1 IDH16G120C5XKSA1 GB20SLT12-247
描述 肖特基二极管与整流器 SIC CHIP/DISCRETEIDH16G120C5 系列 1200 V 40 A 第5代 ThinQ!™SiC 肖特基 二极管-TO-220-2GENESIC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247 Silicon Carbide Schottky Diode, SiC, 1200V Series, Single, 1.2kV, 20A, 112NC, TO-247AC
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) GeneSiC Semiconductor
分类 TVS二极管功率二极管TVS二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-247-2
正向电压 1.8V @15A 1.65 V 2V @20A
反向恢复时间 0 ns - 0 ns
正向电流 15 A 40000 mA 20 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） 78 A - -
正向电压(Max) 1.8V @15A - 2V @20A
正向电流(Max) 15 A 40 A 67 A
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 185000 mW 250000 mW 312000 mW
额定功率 - 250 W -
负载电流 - 16 A -
耗散功率 - 250 W -
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-247-2
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not For New Designs
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -