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MCP6062-E/SN、MCP6062T-E/SN、TS1852ID对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MCP6062-E/SN MCP6062T-E/SN TS1852ID

描述 MCP6061/6062/6064 运算放大器60 μA ,高精度运算放大器 60 μA, High Precision Op Amps1.8V输入/输出轨至轨低功耗运算放大器 1.8V INPUT/OUTPUT RAIL TO RAIL LOW POWER OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 1.80V (min) 1.80V (min) 6.00 V

输出电流 27 mA ≤30 mA 48mA @5V

供电电流 60 µA 60 µA 162 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

输入补偿漂移 1.50 µV/K 1.50 µV/K -

增益频宽积 730 kHz 730 kHz 630 kHz

输入补偿电压 150 µV 150 µV 1 mV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 16 nA

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 730 kHz 0.73 MHz 630 kHz

共模抑制比(Min) 72 dB 72 dB 65 dB

电源电压 1.8V ~ 6V 1.8 V 1.8V ~ 6V

工作电压 1.8V ~ 6V - -

针脚数 8 - -

共模抑制比 91 dB - 55 dB

静态电流 90 µA - -

带宽 730 kHz - 480 kHz

转换速率 250 mV/μs - 250 mV/μs

电源电压(Max) - - 6 V

电源电压(Min) - - 1.8 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - 4 mm

高度 1.25 mm - 1.65 mm

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -