M48Z2M1V-85PL1、DS1270Y-70#、DS1270Y-70IND#对比区别
型号 M48Z2M1V-85PL1 DS1270Y-70# DS1270Y-70IND#
描述 5 V或3.3 V ， 16兆位（ Mb的2 ×8 ） ZEROPOWER ？ SRAM 5 V or 3.3 V, 16 Mbit (2 Mb x 8) ZEROPOWER? SRAMIC NVSRAM 16Mbit 70NS 36EDIP非易失性SRAM (NVSRAM), 16Mbit, 2M x 8bit, 70ns读/写, 并行, 4.5V至5.5V, EDIP-36
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片存储芯片RAM芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 36 36 36
封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36
电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)
时钟频率 85.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz
存取时间 85 ns 70 ns 70 ns
内存容量 16000000 B 16000000 B 16000000 B
存取时间(Max) 85 ns - -
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
工作电压 - 5 V -
电源电压(Max) - 5.25 V 5.5 V
电源电压(Min) - 4.75 V 4.5 V
针脚数 - - 36
长度 53.34 mm - -
宽度 18.8 mm - -
高度 9.52 mm - -
封装 DIP-36 EDIP-36 EDIP-36
工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown Unknown
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free PB free PB free
ECCN代码 EAR99 - -