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PMD4003K、PMD4003K,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PMD4003K PMD4003K,115

描述 低VCEsat晶体管( BISS )晶体管 Low VCEsat (BISS) transistorsMPAK NPN 40V 1A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电流 1 A 1 A

极性 NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 40 V 40 V

集电极最大允许电流 1A 1A

耗散功率 - 485 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃

额定电压 - 40 V

封装 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 3.1 mm

宽度 - 1.7 mm

高度 - 1.2 mm

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free