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2N7000、BS170D26Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7000 BS170D26Z

描述 N沟道 60V 200ATransistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.5A; 0.83W; TO92

数据手册 --

制造商 Diotec Semiconductor Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-92 TO-92

引脚数 3 -

漏源极电阻 - 1.2 Ω

漏源极电压(Vds) - 60 V

极性 - -

耗散功率 0.35 W -

阈值电压 0.8 V -

工作温度(Max) 150 ℃ -

额定功率 0.35 W -

输入电容(Ciss) 60pF @25V(Vds) -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 350 mW -

封装 TO-92 TO-92

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

HTS代码 - -

ECCN代码 EAR99 -