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BAS29,215、BAV756S,115、BAS29对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS29,215 BAV756S,115 BAS29

描述 NXP Semiconductors### 特点支持自定义高密度电路设计 提供低泄漏和高电压类型 高切换速度 低电容 ### 二极管和整流器,NXP SemiconductorsNXP 以不同封装和配置提供广泛的开关二极管。NXP  BAV756S,115  快速/超快二极管, 双共阴极,双共阳极, 90 V, 250 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BAS29  二极管 小信号, 单, 120 V, 200 mA, 1.25 V, 50 ns, 2 A

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 小信号二极管二极管阵列小信号二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 6 3

封装 SOT-23-3 TSSOP-6 SOT-23-3

针脚数 3 - 3

正向电压 1V @200mA 1.25V @150mA 1V @200mA

耗散功率 250 mW - -

热阻 500℃/W (RθJA) - -

反向恢复时间 50 ns 4 ns 50 ns

正向电流 250 mA 250 mA 200 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) 10 A 4 A 2 A

正向电压(Max) 1.25 V 1.25 V 1.25 V

正向电流(Max) 250 mA 250 mA 200 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -55 ℃

工作结温 150℃ (Max) 150℃ (Max) 150℃ (Max)

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 250 mW 350 mW -

电容 - - 2.00 pF

输出电流 - - ≤200 mA

负载电流 - - 200 mA

极性 - - Standard

长度 3 mm - 2.92 mm

宽度 1.4 mm 1.35 mm 1.3 mm

高度 1 mm 1 mm 0.93 mm

封装 SOT-23-3 TSSOP-6 SOT-23-3

工作温度 -65℃ ~ 150℃ - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99