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APT5010LVFRG、APT5010LVR、APT5010LVRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5010LVFRG APT5010LVR APT5010LVRG

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3Pin(3+Tab) TO-264功率MOS ,V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement功率MOS ,V是新一代高压N沟道增强 Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264 TO-264 TO-247-3

极性 - N-CH N-CH

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

连续漏极电流(Ids) 47.0 A 47A 47.0 A

上升时间 16 ns 16 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 7400pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds) 7400pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 520000 mW 520000 mW 520000 mW

额定电压(DC) 500 V - 500 V

额定电流 47.0 A - 47.0 A

输入电容 8.90 nF - 8.90 nF

栅电荷 470 nC - 470 nC

耗散功率 - - 520 W

封装 TO-264 TO-264 TO-247-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free