锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

1N6471、JAN1N6471、JANTX1N6471对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6471 JAN1N6471 JANTX1N6471

描述 高SUGRE性能为瞬态保护对于大部分关键电路。 HIGH SUGRE CAPACITY PROVIDES TRANSIENT PROTECTION FOR MOST CRITICAL CIRCUITS.12V 1500WTVS 1500W G-PKG AXIAL

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G DO-35 DO-35

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 13.6 V 13.6 V 13.6 V

正向电流(Max) - - 0.4 A

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

钳位电压 22.6 V 22.6 V -

最大反向电压(Vrrm) - 12V -

测试电流 10 mA 10 mA -

击穿电压 - 13.6 V -

封装 G DO-35 DO-35

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag - Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead