JANTX2N5116、JANTXV2N5114、2N5116对比区别

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型号 JANTX2N5116 JANTXV2N5114 2N5116

描述 Small Signal Field-Effect Transistor, 1Element, P-Channel, Silicon, Junction FET, TO-18JAN QPL LOW POWER FIELD EFFECT TRANSISTORSJFET P-CH 30V 0.5W(1/2W) TO18

数据手册 ---

制造商 Solitron Devices Solitron Devices Central Semiconductor

分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管

安装方式 - - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-206 TO-206 TO-206

漏源极电阻 - - 150 Ω

耗散功率 - - 500 mW

击穿电压 - - 30 V

输入电容(Ciss) - - 25pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - - 500 mW

工作温度(Max) - - 200 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

封装 TO-206 TO-206 TO-206

材质 - - Silicon

工作温度 - - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -