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IRF7413PBF-1、STS11NF30L、IRF7413TRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7413PBF-1 STS11NF30L IRF7413TRPBF

描述 SOIC N-CH 30V 13AN 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsINFINEON  IRF7413TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 30 V, 0.011 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

引脚数 - 8 8

极性 N-CH N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 13A 11.0 A 13A

额定电压(DC) - 30.0 V -

额定电流 - 11.0 A -

额定功率 - 2.5 W 2.5 W

漏源极电阻 - 0.0085 Ω 0.011 Ω

耗散功率 - 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 1 V 3 V

漏源击穿电压 - 30.0 V -

栅源击穿电压 - ±18.0 V -

上升时间 - 39 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) 1800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 16 ns 46 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2500 mW 2.5W (Ta)

针脚数 - - 8

输入电容 - - 1800 pF

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm 5 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.25 mm 1.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)