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SPI42N03S2L-13、SPP42N03S2L-13、STP45NF3LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SPI42N03S2L-13 SPP42N03S2L-13 STP45NF3LL

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道30V - 0.014ohm - 45A TO- 220 - TO- 220FP - D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-channel 30V - 0.014ohm - 45A TO-220 - TO-220FP - D2PAK STripFET II power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-262-3-1 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V

额定电流 42.0 A 42.0 A 45.0 A

漏源极电阻 - - 16.0 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 83W (Tc) 83W (Tc) 70W (Tc)

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±16.0 V

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42A 45.0 A

上升时间 - 12 ns 100 ns

输入电容(Ciss) 1130pF @25V(Vds) 1130pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

下降时间 - 14.5 ns 21 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 83W (Tc) 83W (Tc) 70W (Tc)

额定功率(Max) - 83 W -

输入电容 1.13 nF - -

栅电荷 30.5 nC - -

封装 TO-262-3-1 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free