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SI4532DY、SI4532DY_NL、ZXMC4559DN8TA对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SI4532DY SI4532DY_NL ZXMC4559DN8TA

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  SI4532DY  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.9 A, 30 V, 53 mohm, 10 V, 3 VDual N & P Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

引脚数 8 - 8

极性 N-Channel, P-Channel N+P N-Channel, P-Channel

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.90 A 3.9A/3.5A 4.70 A

额定电流 3.90 A - 4.70 A

针脚数 8 - 8

漏源极电阻 53 mΩ - 105 mΩ

耗散功率 2 W - 2.1 W

阈值电压 3 V - 1 V

输入电容 - - 1.02 nF

栅电荷 - - 24.2 nC

漏源击穿电压 ±30.0 V - 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V - ±20.0 V

上升时间 - - 4.1 ns

输入电容(Ciss) 235pF @10V(Vds) - 1063pF @30V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 2 W - 1.25 W

额定电压(DC) 30.0 V - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

长度 5 mm - 5 mm

宽度 4 mm - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 NLR - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃