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APT5020BN、SML5020BN、T5020对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5020BN SML5020BN T5020

描述 TO-247 N-CH 500V 28A4TH GENERATION MOSFETPower Field-Effect Transistor, 28A I(D), 500V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Semelab Advanced Power Technology

分类

基础参数对比

安装方式 Through Hole - -

引脚数 3 - -

封装 TO-247 - -

极性 N-CH - -

耗散功率 360 W - -

漏源极电压(Vds) 500 V - -

连续漏极电流(Ids) 28A - -

上升时间 43 ns - -

输入电容(Ciss) 2890pF @25V(Vds) - -

下降时间 56 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 360000 mW - -

封装 TO-247 - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 Non-Compliant - -