IPB60R099C6、IPB60R099CP、IPB60R099CPA对比区别

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型号 IPB60R099C6 IPB60R099CP IPB60R099CPA

描述 INFINEON  IPB60R099C6  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 37.9 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VINFINEON  IPB60R099CP  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 VInfineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 278 W - -

通道数 1 1 1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.09 Ω 0.09 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 278 W 255 W 255 W

阈值电压 3 V 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V

漏源击穿电压 600 V - -

连续漏极电流(Ids) 37.9A 31.0 A 31A

上升时间 12 ns 5 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 2660pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds) 2800pF @100V(Vds)

额定功率(Max) 278 W 255 W 255 W

下降时间 6 ns 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 278W (Tc) 255W (Tc) 255 W

额定电压(DC) - 25.0 V -

额定电流 - 50.0 A -

输入电容 - 2.80 nF -

栅电荷 - 80.0 nC -

长度 10 mm 10.31 mm 10 mm

宽度 9.25 mm 9.25 mm 9.25 mm

高度 4.4 mm 4.57 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99