BC33725BU、BC33725_J35Z、BC337-025G对比区别

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型号 BC33725BU BC33725_J35Z BC337-025G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BC33725BU  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFETrans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin TO-92 BulkNPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 100 MHz 210 MHz

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 0.625 W 0.625 W

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V

额定电流 800 mA - 800 mA

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW

针脚数 3 - -

直流电流增益(hFE) 100 - -

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 4.58 mm - 5.2 mm

宽度 3.86 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - EAR99