BC33725BU、BC33725_J35Z、BC337-025G对比区别
型号 BC33725BU BC33725_J35Z BC337-025G
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BC33725BU 单晶体管 双极, NPN, 45 V, 100 MHz, 625 mW, 800 mA, 100 hFETrans GP BJT NPN 45V 0.8A 3Pin TO-92 BulkNPN 晶体管,ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声,双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
频率 100 MHz 100 MHz 210 MHz
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 625 mW 0.625 W 0.625 W
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A
最小电流放大倍数(hFE) 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V 160 @100mA, 1V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V
额定电流 800 mA - 800 mA
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 625 mW - 625 mW
针脚数 3 - -
直流电流增益(hFE) 100 - -
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3
长度 4.58 mm - 5.2 mm
宽度 3.86 mm - 4.19 mm
高度 5.33 mm - 5.33 mm
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - Silicon
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Bulk Bulk Box
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99