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BFG21W、BFG21W,115、BFG21WT/R对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFG21W BFG21W,115 BFG21WT/R

描述 NXP### 双极性晶体管,NXP SemiconductorsNXP  BFG21W,115.  射频宽带晶体管, NPN, 4.5V, 18GHZ, 4-SOT-343RTRANSISTOR UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC PACKAGE-4, BIP RF Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 -

最小电流放大倍数(hFE) 40 40 @200mA, 2V -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 600 mW 600 mW -

频率 - 18000 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 - NPN -

耗散功率 - 600 mW -

击穿电压(集电极-发射极) - 4.5 V -

最大电流放大倍数(hFE) - 40 -

额定功率(Max) - 600 mW -

直流电流增益(hFE) - 40 -

长度 2.2 mm 2.2 mm -

宽度 1.35 mm 1.35 mm -

高度 1 mm 1 mm -

封装 SOT-343 SOT-343 -

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - 150℃ (TJ) -