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BFS482、UPA800T-T1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BFS482 UPA800T-T1

描述 NPN硅晶体管RF NPN Silicon RF Transistor射频(RF)双极晶体管 DISC BY CEL 2/02 SO-6 NPN HI-FREQ

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) California Eastern Laboratories

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-363 TSSOP-6

耗散功率 - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 10 V

最小电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 3V

最大电流放大倍数(hFE) - 80 @5mA, 3V

额定功率(Max) - 200 mW

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

封装 SOT-363 TSSOP-6

工作温度 - 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead