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AT45DB011D-SH-B、SST25VF010A-33-4C-SAE、MX25L1006EMI-10G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AT45DB011D-SH-B SST25VF010A-33-4C-SAE MX25L1006EMI-10G

描述 AT45DB011 系列 1M 数据闪存 2.7 - 3.6 V 66 MHz - SOIC-8 (200-mil)MICROCHIP  SST25VF010A-33-4C-SAE  闪存, 1 Mbit, 128K x 8位, 33 MHz, 串行, SPI, SOIC, 8 引脚1-Mbit(1M x 1bit/500K x 2bit),SPI接口,工作电压:2.7V to 3.6V

数据手册 ---

制造商 Adesto Technologies Microchip (微芯) Macronix International (旺宏电子)

分类 Flash芯片Flash芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 2.70V (min) 2.70V (min) -

时钟频率 66.0 MHz 33 MHz 104 MHz

位数 8 8 1, 2

内存容量 125000 B 125000 B -

存取时间(Max) 6 ns 12 ns 8 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

供电电流 - 10 mA -

针脚数 - 8 -

存取时间 - 12 ns -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 5 mm -

宽度 - 4 mm -

高度 - 1.5 mm -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR