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BZV55-B4V7,115、BZV55-B4V7,135、BC848B,215对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B4V7,115 BZV55-B4V7,135 BC848B,215

描述 NXP  BZV55-B4V7,115  单管二极管 齐纳, 4.7 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CMini-MELF 4.7V 0.5W(1/2W)NPN 晶体管,NXP### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-23-3

引脚数 2 - 3

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 900mV @10mA 900mV @10mA -

耗散功率 500 mW 500 mW 250 mW

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 4.7 V 4.7 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 250 mW

耗散功率(Max) 500 mW 500 mW 250 mW

针脚数 2 - 3

极性 NPN - NPN

正向电压(Max) 900mV @10mA - -

工作温度(Max) 200 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

频率 - - 100 MHz

击穿电压(集电极-发射极) - - 30 V

集电极最大允许电流 - - 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - - 200 @2mA, 5V

直流电流增益(hFE) - - 200

封装 SOD-80 SOD-80 SOT-23-3

长度 - - 3 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 1 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ)

温度系数 -1.4 mV/K -1.4 mV/K -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17