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MRF175LU、UF28150J、MRF176GU对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MRF175LU UF28150J MRF176GU

描述 N沟道宽带射频功率FET N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FETs功率MOSFET晶体管150瓦, 100 - 500兆赫, 28 V POWER MOSFET TRANSISTOR 150 WATTS, 100 - 500 MHz, 28 V射频MOSFET线200 / 150W ,为500MHz , 50V The RF MOSFET Line 200/150W, 500MHz, 50V

数据手册 ---

制造商 M/A-Com M/A-Com M/A-Com

分类 晶体管晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Flange

引脚数 4 5 5

封装 333-04 375-04 375-04

频率 400 MHz 100MHz ~ 500MHz 225 MHz

耗散功率 - 389 W -

阈值电压 3 V 6 V -

漏源击穿电压 - 65 V 125V (min)

输出功率 100 W 150 W 200 W

增益 10 dB 8 dB 17 dB

测试电流 100 mA 400 mA 100 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - 65 ℃ -

耗散功率(Max) 270000 mW 233000 mW 400000 mW

额定电压 65 V 65 V 125 V

输入电容(Ciss) 180pF @28V(Vds) - 180pF @50V(Vds)

额定电流 - - 16 A

封装 333-04 375-04 375-04

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free