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JAN1N5809、JANTX1N5809对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5809 JANTX1N5809

描述 Diode Switching 100V 6A 2Pin Case G-112Rectifier Diode, 1 Phase, 1Element, 1.7A, 100V V(RRM), Silicon, HERMETIC SEALED, G112, 2Pin

数据手册 --

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 2 2

封装 G-112 G-112

正向电压 - 0.875 V

反向恢复时间 30 ns 30 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

封装 G-112 G-112

产品生命周期 Active Active

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free