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6DI30A-120、KE721203、MG20Q6EK1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6DI30A-120 KE721203 MG20Q6EK1

描述 POWER TRANSISTOR MODULENPN 950V 30AMG20Q6EK1 power transistor module

数据手册 ---

制造商 FUJI (富士电机) Powerex Toshiba (东芝)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 950 V -

集电极最大允许电流 - 30A -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -