BSS84PH6433XTMA1、TP0610K-T1-GE3、BSS84PH6327XTSA2对比区别
型号 BSS84PH6433XTMA1 TP0610K-T1-GE3 BSS84PH6327XTSA2
描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能二极管与整流器INFINEON BSS84PH6327XTSA2 晶体管, MOSFET, P沟道, -170 mA, -60 V, 5.8 ohm, -10 V, -1.5 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) VISHAY (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
额定功率 - - 0.36 W
通道数 - - 1
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 5.8 Ω 10 Ω 8 Ω
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 360 mW 0.35 W 360 mW
阈值电压 - 2 V 1.5 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 0.17A -185 mA 0.17A
上升时间 16.2 ns - 16.2 ns
输入电容(Ciss) 19pF @25V(Vds) 23pF @25V(Vds) 15pF @25V(Vds)
下降时间 20.5 ns - 20.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360mW (Ta) 350 mW 360 mW
额定功率(Max) 360 mW 350 mW -
长度 2.9 mm 3.04 mm 2.9 mm
宽度 1.3 mm 1.4 mm 1.3 mm
高度 1 mm 1.02 mm 1.1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -