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CY7C1370B-200BGC、CY7C1370D-200BGXC、CY7C1370C-200BGC对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1370B-200BGC CY7C1370D-200BGXC CY7C1370C-200BGC

描述 512K 】 36 / 1M 】 18流水线SRAM与NOBL架构 512K 】 36/1M 】 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture512K ×36 / 1M ×18的SRAM流水线与NOBL架构 512K x 36/1M x 18 Pipelined SRAM with NoBL Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 119 119 -

封装 BGA BGA-119 BGA

供电电流 315 mA - -

存取时间(Max) 3 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

电源电压 3.3 V 3.135V ~ 3.6V -

存取时间 - 3 ns -

高度 1.46 mm 1.46 mm -

封装 BGA BGA-119 BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 - Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -