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2N7335、JANTX2N7335、JANTXV2N7335对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N7335 JANTX2N7335 JANTXV2N7335

描述 MO-036AB P-CH 100V 0.75AMOSFET 4P-CH 100V 0.75A MO-036ABPower Field-Effect Transistor, 0.75A I(D), 100V, 1.73ohm, 4-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MO-036AB, HERMETIC SEALED, MO-036AB, 14 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DIP-14 DIP-14 MO-036AB

引脚数 - 14 14

极性 P-CH - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V -

连续漏极电流(Ids) 0.75A - -

额定功率(Max) 1.4 W 1.4 W -

输入电容(Ciss) - - 200pF @25V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW 1400 mW

上升时间 - 60 ns -

下降时间 - 80 ns -

封装 DIP-14 DIP-14 MO-036AB

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead -