IXSH24N60AU1、IXXH30N60B3D1、STGP8NC60KD对比区别

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型号 IXSH24N60AU1 IXXH30N60B3D1 STGP8NC60KD

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 150000mW 3Pin(3+Tab) TO-247ADTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 270000mW Automotive 3Pin(3+Tab) TO-247ADSTGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 - - 3

耗散功率 150000 mW 270000 mW 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 25 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 150 W 270 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 150000 mW 270000 mW 65000 mW

额定功率 150 W - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99