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APT8030LVR、APT8030LVRG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT8030LVR APT8030LVRG

描述 TO-264 N-CH 800V 27ATO-264 N-CH 800V 27A

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-264 TO-264

额定电压(DC) - 800 V

额定电流 - 27.0 A

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 520 W

输入电容 - 7.90 nF

栅电荷 - 510 nC

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 27A 27.0 A

上升时间 - 14 ns

输入电容(Ciss) - 6600pF @25V(Vds)

下降时间 - 8 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 520000 mW

封装 TO-264 TO-264

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free