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S1DHE3/5AT、S1DHE3_A/I、S1D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 S1DHE3/5AT S1DHE3_A/I S1D

描述 DIODE GEN PURP 200V 1A DO214ACDiode Switching 200V 1A Automotive 2Pin SMA T/RTAIWAN SEMICONDUCTOR  S1D  标准恢复二极管, 单, 200 V, 1 A, 1.1 V, 1.8 µs, 30 A

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 TVS二极管TVS二极管功率二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

引脚数 - - 2

正向电压 1.1V @1A 1.1V @1A 1.1 V

反向恢复时间 1.8 µs 1.8 ns 1.8 µs

针脚数 - - 2

耗散功率 - - 1.4 W

正向电流 - - 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) - - 30 A

正向电压(Max) - - 1.1 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 DO-214AC DO-214AC DO-214AC

长度 - - 4.75 mm

宽度 - - 2.95 mm

高度 - - 2.2 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃

重量 - - 64.0 mg

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99

HTS代码 - - 8541100080