2N3879、JAN2N3879对比区别

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型号 2N3879 JAN2N3879

描述 Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 75V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-66, Metal, 2Pin, TO-66, 2PinNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Solid State Devices Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 3

封装 TO-66 TO-66

耗散功率 - 35 W

击穿电压(集电极-发射极) - 75 V

最小电流放大倍数(hFE) - 20 @4A, 5V

额定功率(Max) - 35 W

工作温度(Max) - 200 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 35000 mW

封装 TO-66 TO-66

材质 - Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead