AUIRFS4010、IRFS4010TRRPBF、IRFS4010PBF对比区别
型号 AUIRFS4010 IRFS4010TRRPBF IRFS4010PBF
描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 100V 180AMOSFET，Infineon### 电动机控制 MOSFETInfineon 为电动机控制应用提供全面的强建 N 通道和 P 通道 MOSFET 设备组合。 ### 同步整流器 MOSFET同步整流 MOSFET 设备的组合，适用于交流-直流电源，支持客户对更高功率密度、更小尺寸、更便于携带和更灵活的系统的需求。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
引脚数 3 - 3
额定功率 - 375 W 375 W
通道数 - 1 1
漏源极电阻 - 4.7 mΩ 0.0039 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 375 W 375 W 375 W
阈值电压 - 4 V 4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
连续漏极电流(Ids) 180A 180A 180A
上升时间 86 ns 86 ns 86 ns
输入电容(Ciss) 9575pF @50V(Vds) 9575pF @50V(Vds) 9575pF @50V(Vds)
下降时间 77 ns 77 ns 77 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 375W (Tc)
针脚数 - - 3
长度 10.67 mm 6.5 mm -
宽度 9.65 mm 6.22 mm -
高度 4.83 mm 2.3 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Discontinued at Digi-Key
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99