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12008、MSKD120-12、MSKD120-18对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 12008 MSKD120-12 MSKD120-18

描述 Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 120A, 800V V(RRM), Silicon, CASE D1, 3 PINDiode 1.2kV 120A 3Pin Case D1Diode 1.8kV 120A 3Pin Case D1

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

封装 CASE D1 D1 D1

安装方式 - Screw Screw

引脚数 - 3 3

封装 CASE D1 D1 D1

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 - Bulk Bulk

正向电压 - 1.43V @300A 1.43V @300A

正向电压(Max) - 1.43V @300A 1.43V @300A

正向电流(Max) - 120 A 120 A

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free