IRF630NS、IRF630NSTRLPBF、IRF630NSPBF对比区别
型号 IRF630NS IRF630NSTRLPBF IRF630NSPBF
描述 D2PAK N-CH 200V 9.3AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。INFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 9.30 A - -
漏源极电阻 300 mΩ (max) 0.3 Ω 0.3 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 82W (Tc) 82 W 82 W
产品系列 IRF630NS - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
漏源击穿电压 200V (min) - -
连续漏极电流(Ids) 9.30 A 9.3A 9.3A
上升时间 14.0 ns 14 ns 14 ns
输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 82W (Tc) 82W (Tc) 82W (Tc)
额定功率 - 82 W 82 W
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 4 V 4 V
下降时间 - 15 ns 15 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
输入电容 - 575 pF -
额定功率(Max) - 82 W -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.67 mm 10.67 mm
宽度 - 11.3 mm 9.65 mm
高度 - 4.83 mm 4.83 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
材质 - Silicon Silicon
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17