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BR24C21FV、BR24C21FV-E2对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24C21FV BR24C21FV-E2

描述 EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)EDID存储器(显示) EDID Memory (For display)

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 EEPROM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 8

封装 SSOP LSSOP-8

工作温度(Max) - 85 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃

电源电压 - 2.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) - 5.5 V

电源电压(Min) - 2.5 V

宽度 - 4.4 mm

封装 SSOP LSSOP-8

工作温度 - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅

香港进出口证 - NLR