APT35GP120BG、HGTG12N60A4D、STGP8NC60KD对比区别

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型号 APT35GP120BG HGTG12N60A4D STGP8NC60KD

描述 功率MOS 7® IGBT POWER MOS 7® IGBTHGTG12N60A4D系列 600 V 54 A 法兰安装 SMPS N沟道 IGBT-TO-247STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 543000 mW 167 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 600 V 600 V

反向恢复时间 - 30 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 543 W 167 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 543000 mW 167000 mW 65000 mW

额定电压(DC) 1.20 kV - -

额定电流 96.0 A - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not For New Designs Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99