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2N5151、JANS2N5151对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5151 JANS2N5151

描述 PNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORPNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-39-3 TO-39

耗散功率 1 W -

工作温度(Max) 200 ℃ -

工作温度(Min) 65 ℃ -

耗散功率(Max) 1000 mW -

封装 TO-39-3 TO-39

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant