MRF8P20165WHSR3、MRF8P20165WHSR5对比区别

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型号 MRF8P20165WHSR3 MRF8P20165WHSR5

描述 RF Power Transistor,1930 to 1995MHz, 104W, Typ Gain in dB is 16.3 @ 1960MHz, 28V, LDMOS, SOT1826射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2GHZ 165W NI780S-4

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 5

封装 NI-780S-4 NI-780S-4

频率 1.98GHz ~ 2.01GHz 1.98GHz ~ 2.01GHz

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free

输出功率 37 W 37 W

增益 14.8 dB 14.8 dB

测试电流 550 mA 550 mA

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

额定电压 65 V 65 V

电源电压 28 V -

封装 NI-780S-4 NI-780S-4

高度 - 4.32 mm

工作温度 -65℃ ~ 225℃ -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -