IXFH26N50、IXFH26N50P3、SPW16N50C3FKSA1对比区别
型号 IXFH26N50 IXFH26N50P3 SPW16N50C3FKSA1
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH26N50 晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 500 V, 200 mohm, 10 V, 4 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 MOSFET SPW16N50C3FKSA1, 16 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-247封装
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 500 V - 560 V
额定电流 26.0 A - 16.0 A
额定功率 300 W - -
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.2 Ω 240 mΩ 0.25 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 300 W 500 W 160 W
阈值电压 4 V 5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 560 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
连续漏极电流(Ids) 26.0 A 26A 16.0 A
上升时间 33 ns 7 ns 8 ns
输入电容(Ciss) 4200pF @25V(Vds) 2220pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W - -
下降时间 30 ns 5 ns 8 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 500W (Tc) 160 W
长度 16.26 mm 16.26 mm 16.13 mm
宽度 5.3 mm 5.3 mm 5.21 mm
高度 21.46 mm 21.46 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -