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1N459.TR、JAN1N459对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N459.TR JAN1N459

描述 0.2A, 200V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35Diode Switching 200V 0.12A 2Pin DO-35 Diode Switching 200V 0.12A 2Pin DO-35

数据手册 --

制造商 TI (德州仪器) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

引脚数 - 2

封装 - DO-35

正向电压 - 1V @100mA

正向电流 - 120 mA

正向电流(Max) - 120 mA

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃

耗散功率(Max) - 500 mW

封装 - DO-35

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 - Bag

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead