STD60NF3LL、STD60NF3LLT4对比区别
描述 N沟道30V - 0.0075ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0075ohm - 60A DPAK STripFET⑩ II POWER MOSFETDPAK N-CH 30V 60A
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3
额定电压(DC) - 30.0 V
额定电流 - 60.0 A
漏源极电阻 - 7.50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 - 100 W
漏源极电压(Vds) - 30 V
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
连续漏极电流(Ids) - 60.0 A
上升时间 - 130 ns
输入电容(Ciss) - 2210pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 100 W
下降时间 - 36.5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 100000 mW 100W (Tc)
封装 DPAK-252 TO-252-3
长度 6.6 mm -
宽度 6.2 mm -
高度 2.4 mm -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC -