KRC823E、KRC859E、BCR108S对比区别

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型号 KRC823E KRC859E BCR108S

描述 TES NPN 50V 100mATES NPN 50V 100mANPN Silicon Digital Transistor Array (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit)

数据手册 ---

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) Siemens Semiconductor (西门子)

分类

封装 TES TES -

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V -

集电极最大允许电流 100mA 100mA -

封装 TES TES -

产品生命周期 Active Active Unknown