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IRFR3707Z、IRLR8259TRPBF、IRFR3707ZTRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3707Z IRLR8259TRPBF IRFR3707ZTRPBF

描述 DPAK N-CH 30V 56AMOSFET 晶体管,Infineon (IR)### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。IRFR3707ZTRPBF 编带

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0063 Ω 9.5 mΩ

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 50W (Tc) 48 W 50 W

阈值电压 - 1.9 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 25 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 56.0 A 57A 56.0 A

上升时间 11 ns 38 ns 11.0 ns

输入电容(Ciss) 1150pF @15V(Vds) 900pF @13V(Vds) 1150pF @15V(Vds)

额定功率(Max) - 48 W 50 W

下降时间 3.3 ns 8.9 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 50W (Tc) 48W (Tc) -

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 56.0 A - 56.0 A

产品系列 IRFR3707Z - -

输入电容 - - 1150pF @15V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - 6.22 mm -

高度 - 2.39 mm 2.26 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free