FQD5P10、FQD5P10TF、FQD5P10TM对比区别
型号 FQD5P10 FQD5P10TF FQD5P10TM
描述 Power Field-Effect TransistorTrans MOSFET P-CH 100V 3.6A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RQFET® P 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount Surface Mount
封装 - TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
额定电压(DC) - -100 V -
额定电流 - -3.60 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 1.05 Ω 0.82 Ω
极性 - P-Channel -
耗散功率 - 2.5 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) - 100 V 100 V
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) - 3.60 A -
上升时间 - 70 ns 70 ns
输入电容(Ciss) - 250pF @25V(Vds) 190pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W 2.5 W
下降时间 - 30 ns 30 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 25W (Tc) 25 W
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 2 V
长度 - 6.73 mm 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm 6.22 mm
高度 - 2.39 mm 2.39 mm
封装 - TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 -